集成电路布图设计权的效力

　　集成电路布图设计权的效力

　　应该说，在Trips协议通过之后布图设计权的效力问题在立法上已经解决。但是Trips协议的这种做法在知识产权法律理论上是存在问题的。知识产权的效力从来都同该权利产生的条件高低相关。通常，权利产生的条件越苛刻，权利效力也就越强。这在前述著作权和专利权的效力差异上已经表现得尤为明显。不仅如此，对于同类知识产权中也是这样，如商标必须具备显著性才能受到法律保护。如果一个商标的显著性强，则依附于该商标上的商标权的效力也相应较强。而布图设计权在创造性要求方面显然低于专利法的要求，因此其权利效力理所当然地应当低于专利法，而不应当与专利权相同。即不应当延伸到第三层次上。当然，布图设计权的创造性要求又远高于著作权法中的独创性要求，因此布图设计权的效力应当强于著作权。具体地讲，著作权效力只能及于对作品的复制，而布图设计权的效力则不仅可及于对布图设计的复制，还可以延伸到对布图设计本身的商业利用，即第二层次。所以，当年发展中国家在WIPO《集成电路知识产权条约》谈判中主张在理论上应当是成立的。我国虽然一直都不赞同美国等发达国家的主张，但为了同WT0的相关规定保持一致，只得将布图设计权的效力强化到用集成电路组装的物品的商业利用，即第三层次。

　　无论是著作权，还是专利权在法律上都受到一定的限制，布图设计权也不例外。各国法律对于布图设计权的限制并无大异。为个人目的或者单纯为评价、分析、研究、教学等目的而复制受保护的布图设计，如为前述目的实施反向工程的行为;或者在前述反向工程的基础上，创作出具有独创性的布图设计的行为;以及对自己独立创作的与他人相同的布图设计进行复制或者将其投入商业利用的行为等均不属于侵犯布图设计权的行为等均被列人权利限制的范围。这类行为等同于著作权法中合理使用行为。同时，各国还就权利用尽等知识产权法中通行的做法作出了规定，如权利用尽等。

　　此外，在我国《集成电路布图设计保护条例》中还明确规定了非自愿许可的相关条件和性质，将实施非自愿许可的条件限定在国家处于紧急状态或者作为不正当竞争行为的救济措施的条件上，且这种许可方式被界定为非独占和有偿的。不仅如此，当实施非自愿许可的条件一旦消失，该许可就应当被终止。这些规定同Trips协议以及《巴黎公约》中关于强制许可的规定基本一致。